保護環是指在半導體晶片中，以環狀圍繞元件或接面所形成的雜質區域。在半導體領域主要有2種意義。1種是功率半導體中用來取得高耐壓的終端結構，另1種是CMOS電路中用來防止閂鎖效應與雜訊的佈局結構。
功率半導體的pn接面，與平坦部分相比，晶片邊緣的彎曲部分容易發生電場集中，會在比原本耐壓低得多的電壓下崩潰。因此會在主接面外側，以同心圓方式形成數條電氣上不連接任何地方的p型環（場限環，FLR）。施加電壓時，空乏區會沿著這些環向外擴展，緩和電場集中，得到接近平坦接面的耐壓。環的數量、寬度與間距設計會左右耐壓，耐壓越高的元件，晶片周圍需要越寬的終端區域。此外還有使雜質濃度階段性降低的接面終端延伸（JTE），以及讓電極延伸到絕緣膜上方的場板等終端結構，SiC功率元件常用FLR與JTE。
在CMOS佈局中，以與基板或井同型的高濃度區域圍繞電晶體或電路區塊，並連接至電源或接地的結構稱為保護環。它可收集流入基板的電流，防止寄生閘流體導通所引起的閂鎖效應，或抑制數位電路的雜訊傳到類比電路。在輸入輸出電路以及類比與數位混合的晶片中特別重要。另外，圍繞晶片外圍、防止水分侵入及晶圓切割裂紋延伸的結構，則稱為密封環（seal ring）以示區別。