HSG（Hemispherical Grained Silicon：半球形晶粒矽）是在表面整面形成直徑數十nm的半球狀晶粒（grain），使其具有凹凸的矽膜。用於DRAM電容（儲存電荷的部分）的電極，藉由表面凹凸，在相同平面面積下將電極表面積增為約2倍，加大可儲存的電荷量（電容），作為一項技術在1990年代的DRAM中廣泛使用。
DRAM是在電容中儲存電荷來記憶0與1。要正確讀出記憶內容，電容需要一定以上的電容值，但隨著每一世代記憶胞縮小，電容面積也變小，電容值就會不足。因此，除了將電極做成立體筒狀或堆疊型以爭取面積之外，還以HSG使其表面形成凹凸，進一步增加面積。HSG的製作，是利用非晶矽膜在特定溫度下熱處理時，表面矽原子遷移並聚集在晶核周圍，使半球狀晶粒自然成長的現象。
HSG對增加電容值很有效，但凹凸會使電極之間的間距變窄，隨著微縮推進，已沒有形成凹凸的空間。因此在之後的DRAM中，主流方法是結合加高電極的細長圓筒（cylinder）或柱狀（pillar）結構，以及氧化鋯等高介電常數絕緣膜來確保電容值。