CVD 設備是什麼

CVD 設備（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）是利用原料氣體的化學反應，在晶圓表面形成高品質薄膜的薄膜沉積設備。可高精度沉積氧化矽、氮化矽、多晶矽、鎢、銅等材料。有 LPCVD、PECVD、HDP-CVD 等壓力與能量條件各異的多種方式，依元件結構與所需特性選擇最適合的方式。廣泛用於絕緣層、阻障層與導線材料的形成。

重點整理

以原料氣體的化學反應形成多種材料的高品質薄膜
依用途選擇 LPCVD、PECVD、HDP-CVD 等方式
可沉積氧化矽／氮化矽、多晶矽與金屬膜
廣泛用於絕緣層、阻障層與導線材料的形成
共形性優異，也能在複雜 3D 形狀上成膜

常見問題

什麼是 CVD 設備？
CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）設備是利用原料氣體的化學反應在晶圓表面形成薄膜的薄膜沉積設備。用於氧化矽、氮化矽、金屬膜等多種材料的成膜。
CVD 設備有哪些種類？
主要種類有 PECVD（電漿 CVD）、LPCVD（低壓 CVD）、HDP-CVD（高密度電漿 CVD）、MOCVD（有機金屬 CVD）。依用途、成膜材料與溫度條件分別使用。
CVD 與 PVD 有什麼不同？
CVD 利用化學反應形成薄膜，特點是共形性（階梯覆蓋率）高。PVD 是以物理方式將靶材蒸鍍上去的方式，金屬薄膜純度高，但共形性較差。
CVD 設備的主要廠商有哪些？
CVD 設備的主要廠商為應用材料（Applied Materials，美國）、東京威力科創（TEL，日本）、科林研發（Lam Research，美國）。

相關用語

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