真空・氣體／化學品供應子系統
涵蓋真空幫浦、真空計、閥門、質量流量控制器（MFC）與化學藥液供應等設備子系統。這些子系統負責精準控制反應腔內的壓力、氣體與藥液流量，是製程設備穩定運作與重現性的基礎。
比較文章（1 篇）
- 乾式真空幫浦與渦輪分子幫浦的差異兩者並非競爭關係，而是分工合作。乾式幫浦是負責從大氣壓抽到數Pa左右的粗抽一次側幫浦，渦輪分子幫浦（TMP）則是在其之後建立10⁻¹～10⁻⁸Pa高真空的二次側幫浦。TMP只能在分…
用語解說（17 個）
- 乾式真空幫浦乾式真空幫浦是排氣室內不使用潤滑油，將腔體從大氣壓抽至數Pa的前級幫浦。原理上可排除油蒸氣回流造成的晶圓污染，因此成為半導體設備的標準，以多段魯氏式與螺桿式為主流。為防止沉積性氣體…
- 渦輪分子幫浦（TMP）渦輪分子幫浦（TMP）是以每分鐘數萬轉的多段渦輪葉片撞擊氣體分子，獲得10⁻¹～10⁻⁸Pa高真空的幫浦。與乾式幫浦串聯使用是設備的標準配置，以支撐高速旋轉的磁浮軸承實現無潤滑、低…
- 低溫幫浦（Cryopump）低溫幫浦是讓氣體凝結、吸附在冷卻至10～20K的面板上加以捕捉的儲存式真空幫浦。可動部件不暴露於排氣路徑、振動也小，因此用於PVD（濺鍍）與離子佈植設備。對水蒸氣的排氣速度特別大，…
- 真空計真空計是測量腔體與管路壓力的量測零組件。半導體製程的壓力範圍從大氣壓到超高真空跨越13個數量級，因此組合使用可量測絕對壓力的電容式壓力計、中真空用的皮拉尼真空計，以及高真空用的電離…
- 閘閥／狹縫閥閘閥（狹縫閥）是在維持真空的狀態下隔開並開關腔體之間的真空閥。在叢集式設備中，配置於Load Lock、傳送腔與各製程腔的所有邊界，界定了設備結構本身。由於每1片晶圓都要開關一次，…
- Load Lock 室（負載鎖定室）Load Lock 室是設置於大氣側與製程腔之間的中間小型真空室。只讓容積小的腔體在大氣與真空之間往返，使製程腔始終保持真空，抑制抽真空時間與水分吸附造成的製程變動。急速排氣或破真…
- 質量流量控制器（MFC）質量流量控制器（MFC）是一邊量測製程氣體的質量流量、一邊依設定值自動控制的設備。它將配方中「sccm」的數值轉換為實際氣體流量，是站在製程控制最前線的零件。熱式為主流，但ALD這…
- 氣體箱（氣體面板）氣體箱（氣體面板）是將MFC、閥件、調壓器、過濾器集中於1個機殼內，以規定的流量與壓力將多種製程氣體供應至腔體的子系統。死體積最小化與吹淨性能是設計關鍵，以減少接頭的整合式模組為主…
- 隔膜閥隔膜閥是以金屬薄膜作為閥瓣來開關流路的超高純度用閥。沒有滑動密封部，因此不產生粉塵，關閉時的死體積也極小，已成為半導體製程氣體用閥的標準形式。決定壽命的是隔膜的金屬疲勞，一旦破裂將…
- 氣體純化器・氣體過濾器氣體純化器・氣體過濾器是在設備前端（POU）最終去除製程氣體中水分、氧氣與微粒的零件。即使是管路或接頭釋出的微量水分，也會改變磊晶成長或high-k絕緣膜的界面特性，因此以吸氣材將…
- 化學品供應系統（CDS）化學品供應系統（CDS）是將硫酸、過氧化氫、氫氟酸、顯影液、CMP研磨液等，在維持濃度、溫度與潔淨度的狀態下，從儲槽集中供應至各設備的晶圓廠基礎設施。管路以PFA、PTFE為基本，…
- 尾氣處理設備（Scrubber）尾氣處理設備（Scrubber）是以燃燒、電漿、觸媒、濕式等方式，將製造設備的排氣無害化後再排至工廠排氣系統的晶圓廠基礎設施設備。除了去除矽烷、砷化氫、氯系氣體的毒性之外，近年重點…
- 特殊氣體（製程氣體）特殊氣體（製程氣體）是半導體製造中薄膜沉積、蝕刻、摻雜步驟所使用之高純度氣體的總稱。
- 特殊氣體（半導體製程氣體）特殊氣體是半導體製造製程中所使用、高純度且具特定組成之各種氣體的總稱，用於CVD薄膜沉積、ALD、蝕刻、摻雜、曝光、清洗等多種步驟。
- 真空真空是指充滿壓力低於大氣壓之氣體的空間狀態。在半導體製造中，薄膜沉積・蝕刻・離子佈植・EUV曝光大多在真空腔體內進行，電漿製程使用0.1～數十Pa，離子佈植的束線與電子顯微鏡則使用…
- 氣瓶櫃（Gas Cabinet）氣瓶櫃（gas cabinet）是收納半導體工廠所用之毒性、可燃性、腐蝕性特殊氣體鋼瓶，並將氣體安全供應至設備的箱型設施。內部持續排氣以維持負壓，氣體偵測器一旦偵測到洩漏，便以緊急…
- 平均自由徑（Mean Free Path）平均自由徑是氣體分子或電漿中的粒子從一次碰撞到下一次碰撞之間所前進距離的平均值。它與壓力成反比，室溫下的氮氣約為6.6mm÷壓力（Pa），在大氣壓下約70nm，在1Pa下約7mm。…
最後更新：2026年10月8日