Centris Sym3 Y 是應用材料定位為「最先進蝕刻系統」的導體蝕刻設備。將具實績的 Centris Sym3 設計，針對先進記憶體與晶圓代工・邏輯的關鍵導體蝕刻及 EUV 圖形化加以改良。
節點進入個位數 nm 後，蝕刻深度、線寬、側壁角的些微差異都會成為致命缺陷。Sym3 Y 結合高傳導率的腔體結構與脈衝 RF 源，快速排出每片晶圓累積的蝕刻副產物，藉此控制輪廓。
憑藉極高的選擇比，可在1個腔體內連續蝕刻不同材料的多層膜，形成 FinFET 與 GAA 這類高密度・高深寬比結構。以保護重要零件的獨家塗層減少缺陷，以新的靜電吸盤改善晶粒間差異，並以主動邊緣控制改善最外圍的良率。