Centris Spectral Mo ALD 是應用材料的鉬（Mo）ALD 設備。在 AI 與 HPC 用的 GAA（環繞式閘極）電晶體中，連接電晶體與上方導線的極小接觸窗電阻，已成為性能的瓶頸。
以原子級控制，將即使微縮後電子仍容易流動的鉬，以單晶狀態由下而上沉積。運用選擇性材料處理技術，即使接觸窗縮小也能維持導電性。
與業界標準的選擇性鎢相比，關鍵接觸窗的電阻可再降低 15%。其設計是作為從 GAA 走向 CFET、乃至 3D 整合等世代的平台。
Centris Spectral Mo ALD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・ALD 設備
在 GAA 電晶體的接觸窗中由下而上填入鉬的 ALD 設備。與選擇性鎢相比，接觸電阻再降低 15%。
產品概要
主要規格
| 方式 | ALD（單晶鉬的由下而上沉積） |
|---|---|
| 效果 | 與選擇性 W 相比，接觸電阻降低 15% |
| 主要用途 | GAA・CFET 世代的接觸窗 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
單晶 Mo 的由下而上 ALD
接觸電阻比選擇性 W 降低 15%
支援 GAA・CFET 世代
主要用途
- 先進邏輯的接觸窗形成
- GAA 電晶體的導線連接部
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
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