最後更新:2026年10月23日電漿摻雜設備

VIISta PLAD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・電漿摻雜設備

使用電漿進行高劑量佈植・材料改質・側壁摻雜的設備。具備脈衝 DC 偏壓與閉迴路劑量量測。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

VIISta PLAD 是應用材料(原 Varian)的電漿摻雜設備。不採用束線式離子佈植,而是使用電漿將雜質導入晶圓,以大量生產方式進行高劑量摻雜、材料改質與側壁摻雜。

具備業界頂尖水準的劑量保持率與均勻性。以脈衝 DC 偏壓精確控制能量・深度・劑量,並以可變工作週期提高對所有基板種類的製程穩定性。以先進 RF 技術,實現獨特的沉積與摻雜物分布控制。

VIISta HVMS 跨多種元件類型提供 p 型・n 型與材料改質解決方案,以低能量・高劑量製程發揮高生產力。能調整表面附近的摻雜物分布,有助於提升元件性能與良率。共用 Varian 控制系統,縮短量產啟用所需時間。

主要規格

方式電漿摻雜(脈衝 DC 晶圓偏壓)
適用晶圓尺寸300 mm(PLAD T2)
佈植電壓200 V ~ 10 kV
主要用途3D 結構的順應性摻雜・高劑量佈植

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以電漿進行高劑量摻雜・材料改質・側壁摻雜
以脈衝 DC 偏壓控制能量・深度・劑量
可變工作週期與先進 RF 技術
以低能量・高劑量發揮高生產力

主要用途

  • 低能量・高劑量佈植
  • 3D 結構的側壁摻雜・材料改質

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

相關用語

應用材料(Applied Materials)的其他機型

資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials VIISta PLAD