VIISta® PLAD

プラズマを使って高ドーズ注入・材料改質・側壁ドーピングを行う装置。パルス DC バイアスと閉ループの線量計測を持つ。

VIISta PLADとは

VIISta PLAD は、Applied Materials（旧 Varian）のプラズマドーピング装置です。ビームライン式のイオン注入ではなく、プラズマを使ってウェーハに不純物を導入し、高ドーズのドーピング、材料改質、側壁ドーピングを大量生産で行います。

業界トップクラスのドーズ保持率と均一性を持ちます。パルス DC バイアスでエネルギー・深さ・ドーズを正確に制御し、可変デューティ比ですべての基板種に対するプロセス安定性を高めます。高度な RF 技術で、独自の堆積とドーパントプロファイルの制御を可能にしています。

VIISta HVMS は p 型・n 型と材料改質のソリューションを複数のデバイス種にわたって提供し、低エネルギー・高ドーズのプロセスで高い生産性を発揮します。表面近傍のドーパントプロファイルを調整できることが、デバイス性能と歩留まりの向上につながります。Varian 制御システムを共通化し、量産立ち上げまでの期間を短くしています。

主な特長

•プラズマによる高ドーズドーピング・材料改質・側壁ドーピング
•パルス DC バイアスでエネルギー・深さ・ドーズを制御
•可変デューティ比と高度な RF 技術
•低エネルギー・高ドーズで高い生産性

主な仕様

方式	プラズマドーピング（パルス DC ウェーハバイアス）
対応ウェハ径	300 mm（PLAD T2）
注入電圧	200 V ～ 10 kV
主要用途	3D 構造のコンフォーマルドーピング・高ドーズ注入

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。