電漿摻雜設備是什麼

電漿摻雜設備（PLAD：Plasma Doping）是在電漿中導入雜質氣體，對晶圓表面全體均勻照射並佈植離子的設備。與射束線式相比，特點是以超低能量（數百 eV～數 keV）均勻佈植且產能高，適合 FinFET 鰭片側面或 GAA 奈米片側面的均勻摻雜等 3D 結構元件的微細擴散層形成。

重點整理

以高產能實現超低能量（數百 eV～數 keV）的均勻佈植

可對 3D 結構（FinFET、GAA）的側壁與底面等向性佈植

最適合源極／汲極延伸區的超淺接面形成

應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research）、Mattson 為主要廠商

什麼是電漿摻雜？

電漿摻雜（PLAD）是將電漿中的雜質離子均勻照射到晶圓表面全體的手法。可進行超低能量的均勻佈植，用於 FinFET／GAA 3D 結構的等向性摻雜，以及源極／汲極延伸區的超淺接面形成。

電漿摻雜與射束線式如何區分使用？

電漿摻雜的特點是超低能量、高產能與對 3D 形狀的等向性佈植，適合源極／汲極延伸層的淺接面。射束線式則用於需要高精度質量分析與能量控制的製程（井形成、閘極調整等）。

射束線式離子佈植機是以質量分析磁鐵分離離子源產生的雜質離子種類，再以高能量加速打入晶圓的設備。

高電流離子佈植機是以超過 10mA 的大電流射束進行高劑量佈植的設備。

高能量離子佈植機是將離子加速至 MeV 等級並打入基板深處的設備。

中電流離子佈植機是負責射束電流約數十 μA～數 mA 範圍的離子佈植設備。