EOS 是科林研發最新的單晶圓濕式清洗設備。在製程之間清洗晶圓，去除會降低良率的殘留物與缺陷。
隨著微縮進入 10nm 以下以及新材料的導入，清洗步驟數快速增加，處理也日趨複雜。多重圖案化需要不使圖形倒塌的乾燥與無損傷的微粒去除，FinFET 需要嚴格管理材料損耗，3D NAND 則需要為調整翹曲與應力而去除背面薄膜。
以先進的腔體設計將晶圓上的缺陷壓到極低，並以最多 16 個製程腔體獲得高處理量。以獨家技術乾燥高深寬比結構而不使其倒塌，以溶劑回收降低擁有成本，並以獨家吸盤調整背面薄膜去除的形狀。