最後更新:2026年10月23日CVD 設備

ALTUS的特點與規格

科林研發(Lam Research)・CVD 設備

結合 CVD 與 ALD,沉積鎢與鉬共形薄膜的科林研發主力金屬沉積設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

ALTUS 是科林研發引領市場的金屬沉積設備。結合 CVD 與 ALD 技術,沉積先進金屬化所需的高度共形薄膜。

鎢用於接觸窗、通孔、插塞等導電部位,但在奈米尺度下,傳統 CVD 的懸突(overhang)使其無法完全填滿。ALTUS 以先進的 ALD 填充技術因應。鉬除了以 ALD 可獲得更好的填充之外,若使用不含氟的鹵化物前驅物,也可避免部分鎢用途中發生的介電膜損傷。

以具備 4 個站點的模組,可在不同溫度下依序沉積襯層與塊材。以高溫真空吸附陶瓷載台管理翹曲,背面也不會有沉積。以次廠務(sub-fab)的昇華櫃供應前驅物,並具備以 ACE 進行的整合清潔。

主要規格

方式CVD/ALD(四站式模組)
膜種鎢・鉬
特點多溫度依序沉積・熱/電漿 Mo ALD・整合 ACE 清潔

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

結合 CVD 與 ALD
以四站式架構進行多溫度依序沉積
熱/電漿 Mo ALD
管理翹曲的陶瓷載台

主要用途

  • 接觸窗・通孔的 W 填充
  • Mo 金屬化
  • 3D NAND 的字元線

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹):1996 年成立的台灣技術訓練中心
  • Lam Research Manufacturing(桃園市中壢區):2016 年成立的製造子公司與全球翻新中心
  • 台南據點(台南):支援南部客戶的辦公室與訓練教室

所屬設備分類

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資料來源

  1. 科林研發(Lam Research)官方產品頁面:Lam Research ALTUS