DSiE 是科林研發（Lam Research）的深矽蝕刻設備系列。可使用蝕刻與保護膜交替進行的博世製程，以及持續進行蝕刻的穩態方法，具備高蝕刻速率與生產力。
可透過氣體流量比與變壓器耦合的電容調整來調節深度均勻性，也具備改善對稱性與將傾斜降至最小的進階控制。以高速氣體切換也能調整 CD。
用於 MEMS 溝槽與空腔的深蝕刻、功率元件的矽溝槽，以及晶圓級封裝的 TSV。有 DSiE III、DSiE F Series、DSiE G Series。
DSiE的特點與規格
科林研發（Lam Research）・MEMS
同時支援博世製程與穩態製程的深矽蝕刻設備。用於 MEMS 的溝槽・空腔與 TSV。
產品概要
主要規格
| 方式 | 深矽蝕刻（博世製程・穩態製程） |
|---|---|
| 產品線 | DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series |
| 主要用途 | MEMS・功率元件的溝槽・WLP 的 TSV |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
博世製程・穩態製程兩用
深度均勻性調整
以高速氣體切換調整 CD
主要用途
- MEMS 的溝槽・空腔
- 功率元件的溝槽
- TSV
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹）：1996 年成立的台灣技術訓練中心
- Lam Research Manufacturing（桃園市中壢區）：2016 年成立的製造子公司與全球翻新中心
- 台南據點（台南）：支援南部客戶的辦公室與訓練教室