Vantex 是科林研發（Lam Research）最新的介電質蝕刻設備。先進記憶體中有非常深的孔與溝槽，必須在嚴格的公差內製作。Vantex 能以高性能與高生產力形成這些最關鍵的高深寬比結構。
要降低記憶體的每位元成本，必須往垂直方向堆得更深，並在維持相同 CD 的情況下挖得更深。離子角度即使稍有偏差，孔的位置也會大幅偏移而使良率下降，因此蝕刻的垂直性十分重要。同時也需要同時挖掘多種形狀的步驟，以及多種材料外露的複雜整合。
以先進 RF 技術、均勻性控制與 Equipment Intelligence，在嚴格的 CD 控制與選擇比下進行最高深寬比的蝕刻。用於 3D NAND 高深寬比孔・溝槽・接觸窗以及電容單元的形成。