氧化膜蝕刻機是什麼
氧化膜蝕刻機是以電漿精密去除矽氧化膜（SiO₂）・高介電常數氧化膜（HfO₂等）・BPSG・TEOS氧化膜等絕緣膜的專用設備。大量用於接觸孔・通孔・STI溝槽等高深寬比結構的形成，確保選擇比（氧化膜對矽・氮化膜）是製程品質的關鍵。主要使用氟系氣體（C₄F₈・CF₄等），支撐先進邏輯・記憶體兩者的核心工序。
重點整理
以高精度電漿蝕刻SiO₂・BPSG・HfO₂等多種氧化膜
以氟系氣體（C₄F₈・CF₄）實現高氧化膜對矽選擇比
負責接觸孔・通孔・STI溝槽的高深寬比加工
以高頻偏壓控制最佳化離子入射角，形成垂直側壁
支援ALE（原子層蝕刻），因應1nm世代的精度要求
常見問題
氧化膜蝕刻機的深寬比相依性問題（ARDE）是什麼？
在挖掘高深寬比孔洞時，會發生孔洞入口與底部蝕刻速率不同的現象（ARDE）。原因是電漿離子不易到達深孔的底部，可透過最佳化壓力・偏壓功率・氣體種類來緩解。
主要廠商有哪些？
科林研發（Lam Research，Kiyo、Flex系列）、應用材料（Applied Materials，Centura系列）、東京威力科創（TEL，Tactras系列）引領全球。
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