Producer Selectra Etch 是應用材料（Applied Materials）的選擇性蝕刻設備，能以相對於周圍1種以上膜層極高的選擇比，只去除目標材料。在微縮與高深寬比化持續推進下，選擇比不足會導致材料殘留、CD 擴大、線條彎曲或圖案倒塌，損及性能與良率。
Selectra 利用自由基化學反應，以原子級精度、在調整選擇比的同時去除絕緣膜・金屬膜・半導體膜。藉此實現先進 FinFET 的原子級蝕刻控制、3D NAND 的均勻凹蝕，以及高深寬比 DRAM 結構的無損傷清洗。
例如在傳統製程中，曾有 3D NAND 堆疊愈上層鎢被凹蝕得愈深、DRAM 圓筒電容中濕式蝕刻使所有層都被擴大等問題。Selectra 解決了這些課題，也支援向 GAA 結構的轉移。