Vantex®（誘電体エッチング）

先端メモリの深い穴や溝を掘る Lam の最新の誘電体エッチング装置。クライオエッチングにも対応する。

Vantexとは

Vantex は、Lam Research の最新の誘電体エッチング装置です。先端メモリには非常に深い穴や溝があり、厳しい公差で作る必要があります。Vantex はこうしたもっとも重要な高アスペクト比の構造を、高い性能と生産性で形成します。

メモリのビット単価を下げるには、縦方向に深く積み、同じ CD のままより深く掘る必要があります。イオンの角度がわずかにずれても穴の位置が大きくずれて歩留まりが下がるため、エッチングの垂直性が重要です。複数の形状を同時に掘る工程や、複数の材料が露出する複雑な集積も求められます。

先進の RF 技術、均一性の制御、Equipment Intelligence で、最高のアスペクト比のエッチングを厳しい CD 制御と選択比で行います。3D NAND の高アスペクト比の穴・溝・コンタクトや、キャパシタセルの形成に使われます。

方式	誘電体エッチング（RIE・クライオエッチング）
特徴	先進の RF 技術・均一性制御・Equipment Intelligence
主要用途	3D NAND の高アスペクト比の穴・溝・コンタクト、キャパシタセル

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Lam ResearchFlex®（誘電体エッチング）	Lam ResearchVantex®（誘電体エッチング）	Applied MaterialsProducer® Selectra® Etch
方式	反応性イオンエッチング（RIE）	RIE・プラズマ ALE・極低温エッチング	誘電体エッチング（RIE・クライオエッチング）	ラジカルベースの選択エッチング（等方性）
主要用途	マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	Low-k デュアルダマシン・SAC・キャパシタ・3D NAND 高アスペクト比ホール	3D NAND の高アスペクト比の穴・溝・コンタクト、キャパシタセル	FinFET・GAA・3D NAND のリセス・DRAM の高アスペクト比構造

1機種だけが掲載している項目（6件）

対応ウェハ径	300 mm	—	—	—
チャンバー構成	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	—	—	—
主な技術	—	マルチ周波数閉じ込めプラズマ・AMMP（混合モードパルス）	—	—
シリーズ構成	—	Exelan Flex／Flex45／Flex D・E・F・G・H シリーズ	—	—
特徴	—	—	先進の RF 技術・均一性制御・Equipment Intelligence	—
対象	—	—	—	絶縁膜・金属膜・半導体膜