ゲッタリング（Gettering）は、シリコンウェハ中に混入した金属不純物（鉄・銅・ニッケル等）を、トランジスタが作られるデバイス活性領域から引き離し、影響のない場所に捕獲・固定する技術です。金属不純物は接合リークや少数キャリア寿命の低下を招き歩留まりを悪化させるため、その無害化はプロセス管理の要となります。
方式は大きく2つに分かれます。イントリンシックゲッタリング（IG）は、CZ法ウェハに含まれる酸素を熱処理で析出させ、その酸素析出物を捕獲サイトとしてウェハ内部（バルク）に金属を集める方法です。エクストリンシックゲッタリング（EG）は、ウェハ裏面に意図的に歪みや多結晶層を設け、そこへ金属を引き寄せる方法です。
ゲッタリングを効かせるには、デバイス活性層（表面付近）を清浄に保ちつつ、内部や裏面に捕獲サイトを作る「デヌーデッドゾーン」の形成など、酸素濃度と熱履歴の精密な設計が必要です。CZ法ウェハが一定量の酸素を含むことは、この点で有利に働きます。
ゲッタリングは歩留まりと信頼性を支える基盤技術で、ウェハメーカー（信越化学・SUMCO・Siltronic）とデバイスメーカーが協調して最適化します。czochralskiやsilicon-wafer、yield、defect-inspectionの各項とあわせて読むと、材料と歩留まりのつながりが理解できます。