DFL7362FH

厚さ 50µm 以下の極薄シリコンを高い抗折強度で高速にチップ化するフレーム搬送専用のステルスダイシング機。

DFL7362FHとは

DFL7362FH は、ディスコのフレーム搬送専用のレーザソーです。極薄化したあとのウェーハを高速・高品質に加工します。

厚さ 50µm 以下の極薄シリコンを、高い抗折強度で高速にチップ化できます。シリコンに加え、透明な材料の加工にも対応します。従来のフレーム搬送機と比べ、搬送とアライメントの時間短縮に加え X 軸の最高速度と加速度を高め、UPH を約 30% 向上させました。

研削後にステルスダイシングする SDAG プロセスで極薄シリコンのチップ化に対応します。表面から照射しにくいワークは、フレームの自動反転機構を追加して、テープ越しに裏面から照射する SDTT プロセスにも対応します。ウェーハ厚の測定やノンストップのカーフチェックなどのオプションもそろえています。

主な特長

•50µm 以下の極薄シリコンに対応
•UPH 約 30% 向上
•SDAG・SDTT プロセス

主な仕様

加工方式	ステルスダイシング（SDAG・SDTT）
対応ウェハ径	Φ300 mm（フレーム搬送専用）
効果	UPH 約 30% 向上

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	DISCODFL7362（ステルスダイシング）	DISCODFL7160	DISCODFL7262	DISCODFL7341	DISCODFL7362FH	DISCODFL7560L	DISCODFL7562	DISCODDS2300（ダイセパレータ）	DISCODDS2030（ダイセパレータ）	ASMPTALSI LASER1205	浜松ホトニクスステルスダイシングエンジン™（SDE）
対応ウェハ径	300 mm	Φ300 mm	Φ300 mm	Φ200 mm	Φ300 mm（フレーム搬送専用）	Φ6 インチ	Φ300 mm	Φ300 mm	—	—	—
加工方式	ステルスダイシング（内部改質層＋テープエキスパンドで分割）	アブレーション（ショートパルスレーザ）	アブレーション（超短パルスレーザ）	ステルスダイシング	ステルスダイシング（SDAG・SDTT）	レーザリフトオフ（DPSS 固体レーザ）	アブレーション（固定／スキャン光学系）	—	—	—	—
主要用途	積層フラッシュメモリ向け薄ウェーハの個片化（SDBG）	—	—	—	—	—	—	SDBG・SDTT 後の分割・DAF 切断	—	パワー・IC・メモリの薄ウェーハダイシング／グルービング	MEMS・メモリ・車載パワーデバイスのダイシング
特徴	カーフチェック・ウェーハ厚測定機能、ウェーハ／フレーム搬送の兼用	—	—	完全ドライプロセス・ハイト補正・ウェーハ形状認識	—	—	—	—	多角形・曲線チップの分割・保護フィルムの貼付／剥離を自動化	—	—
装置寸法	—	1,200 × 1,550 × 1,800 mm	—	—	—	2,000 × 1,810 × 1,800 mm	—	—	—	—	—
方式	—	—	—	—	—	—	—	クールエキスパンド（低温でのテープ拡張）	ローラースキャニングによるブレーキング	—	—
レーザー方式	—	—	—	—	—	—	—	—	—	マルチビーム（V字型回折光学素子 V-DOE）	ステルスダイシング（内部改質層形成）
対応材料	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Si・GaAs・Ge・SiC（IR機は非Si材料向け）	Si 等（用途別に加工条件を最適化）

1機種だけが掲載している項目（8件）

搬送	—	—	ウェーハ搬送／フレーム搬送を切り替え可能	—	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	UPH 約 30% 向上	—	—	—	—	—	—
加工例	—	—	—	—	—	—	最大 330µm 幅のグルービング・Si／GaAs／SiC／InP のフルカット	—	—	—	—
対応	—	—	—	—	—	—	—	—	Φ300／200 mm テープフレーム兼用	—	—
対応ウェハ厚	—	—	—	—	—	—	—	—	—	10 ～ 250 μm	—
位置決め精度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1.5 μm 未満	—
製品形態	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	ダイシング装置搭載用のレーザー・光学ユニット
光学系	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	LCOS-SLM 搭載の LBA（Laser Beam Adjuster）