DDS2030（ダイセパレータ）

ローラースキャニング方式で、ステルスダイシング後のウェーハを高スループットで分割するダイセパレータ。

DDS2030とは

DDS2030 は、ディスコのブレーキング時間を大きく短縮したダイセパレータです。ステルスダイシングで内部に改質層を作ったウェーハを、高いスループットで分割します。

ラインごとにブレーキングする従来の方式とは違い、ローラースキャニング方式を採用しています。テープを広げるだけでは分割が難しい極小チップでも、チップサイズによらず高い生産性と高品質な分割を実現します。

分割ラインが一直線でない多角形のチップや曲線形状も分割できます。表面保護フィルムの貼付・剥離の機構を装置内に持ち、貼付からブレーキング、剥離までを装置内で完結できます。

主な特長

•ローラースキャニング方式
•極小チップの高速分割
•多角形・曲線の分割

主な仕様

方式	ローラースキャニングによるブレーキング
対応	Φ300／200 mm テープフレーム兼用
特徴	多角形・曲線チップの分割・保護フィルムの貼付／剥離を自動化

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	DISCODFL7362（ステルスダイシング）	DISCODFL7160	DISCODFL7262	DISCODFL7341	DISCODFL7362FH	DISCODFL7560L	DISCODFL7562	DISCODDS2300（ダイセパレータ）	DISCODDS2030（ダイセパレータ）	ASMPTALSI LASER1205	浜松ホトニクスステルスダイシングエンジン™（SDE）
対応ウェハ径	300 mm	Φ300 mm	Φ300 mm	Φ200 mm	Φ300 mm（フレーム搬送専用）	Φ6 インチ	Φ300 mm	Φ300 mm	—	—	—
加工方式	ステルスダイシング（内部改質層＋テープエキスパンドで分割）	アブレーション（ショートパルスレーザ）	アブレーション（超短パルスレーザ）	ステルスダイシング	ステルスダイシング（SDAG・SDTT）	レーザリフトオフ（DPSS 固体レーザ）	アブレーション（固定／スキャン光学系）	—	—	—	—
主要用途	積層フラッシュメモリ向け薄ウェーハの個片化（SDBG）	—	—	—	—	—	—	SDBG・SDTT 後の分割・DAF 切断	—	パワー・IC・メモリの薄ウェーハダイシング／グルービング	MEMS・メモリ・車載パワーデバイスのダイシング
特徴	カーフチェック・ウェーハ厚測定機能、ウェーハ／フレーム搬送の兼用	—	—	完全ドライプロセス・ハイト補正・ウェーハ形状認識	—	—	—	—	多角形・曲線チップの分割・保護フィルムの貼付／剥離を自動化	—	—
装置寸法	—	1,200 × 1,550 × 1,800 mm	—	—	—	2,000 × 1,810 × 1,800 mm	—	—	—	—	—
方式	—	—	—	—	—	—	—	クールエキスパンド（低温でのテープ拡張）	ローラースキャニングによるブレーキング	—	—
レーザー方式	—	—	—	—	—	—	—	—	—	マルチビーム（V字型回折光学素子 V-DOE）	ステルスダイシング（内部改質層形成）
対応材料	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Si・GaAs・Ge・SiC（IR機は非Si材料向け）	Si 等（用途別に加工条件を最適化）

1機種だけが掲載している項目（8件）

搬送	—	—	ウェーハ搬送／フレーム搬送を切り替え可能	—	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	UPH 約 30% 向上	—	—	—	—	—	—
加工例	—	—	—	—	—	—	最大 330µm 幅のグルービング・Si／GaAs／SiC／InP のフルカット	—	—	—	—
対応	—	—	—	—	—	—	—	—	Φ300／200 mm テープフレーム兼用	—	—
対応ウェハ厚	—	—	—	—	—	—	—	—	—	10 ～ 250 μm	—
位置決め精度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1.5 μm 未満	—
製品形態	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	ダイシング装置搭載用のレーザー・光学ユニット
光学系	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	LCOS-SLM 搭載の LBA（Laser Beam Adjuster）