VIISta 900XPとは
VIISta 900XP は、Applied Materials の中電流イオン注入装置です。精度・クリーンさ・生産性・量産適性を兼ね備えた中電流機として位置づけられています。
エネルギー範囲を拡張しており、1価イオンで 300keV、2価イオンで 600keV での運転が可能です。このためサブ MeV のウェル注入では、従来のバッチ式高エネルギー装置より高い生産性を発揮します。注入角は Varian Positioning System（VPS）で全用途にわたって制御します。
フィルターマグネットでイオン源の直後から異種イオンの大半を取り除き、デュアルマグネット構成でアナライザーマグネットや質量分離アパーチャで生じる金属・パーティクル汚染からウェーハを隔離します。機械的スループットは 500WPH で、枚葉の並列搬送と短いビーム立ち上げ時間が生産性を支えています。
主な特長
- •1価 300keV／2価 600keV まで拡張したエネルギー範囲
- •Varian Positioning System（VPS）による注入角制御
- •フィルターマグネット＋デュアルマグネットのクリーンなビームライン
- •機械的スループット 500WPH
主な仕様
| 区分 | 中電流イオン注入装置 |
|---|---|
| エネルギー範囲 | 300 keV（+ 価数）／600 keV（++ 価数） |
| 関連機種 | VIISta 900 3D |
| 重視項目 | 精度・クリーンさ・生産性 |
| 主要用途 | ウェル形成・しきい値調整などの精密注入 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVIISta 900XP | Axcelis TechnologiesPurion M | 日新イオン機器EXCEED3000AH | 住友重機械イオンテクノロジーMC3-Ⅱ(MC) |
|---|---|---|---|---|
| 区分 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 |
| 主要用途 | ウェル形成・しきい値調整などの精密注入 | ウェル・チャネル・HALO・ソースドレインの中ドーズ注入 | 注入角度・エネルギー精度が要求される中ドーズ注入 | ウェル形成・しきい値調整注入 |
| 関連機種 | VIISta 900 3D | — | EXCEED400HY（水素注入） | SAion（高電流／中電流一体型） |
| エネルギー範囲 | 300 keV（+ 価数）／600 keV（++ 価数） | 2 keV ～ 1 MeV | — | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 重視項目 | 精度・クリーンさ・生産性 | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| プラットフォーム | — | Purion（H／M／XE 共通） | — | — |
| スループット | — | 500 WPH（枚葉プラットフォーム） | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm | — |
| 系譜 | — | — | EXCEED2000（1994年）以来の中電流シリーズ | — |
| 特徴 | — | — | — | 操作性と信頼性を重視した設計 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ウェル形成・しきい値電圧調整などの精密注入
- •サブ MeV のウェル注入（バッチ式高エネルギー機の置き換え）
掲載カテゴリ
VIISta 900XPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
中電流イオン注入装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-05