SOPHIとは
SOPHI は、アルバックの中電流対応のイオン注入装置です。パワーデバイスや IGBT 向けでトップシェアを持ちます。
極薄ウェーハを直接搬送で処理でき、反った基板の直接搬送や高精度のオリフラ合わせもできます。平行ビームで高精度に注入し、シングルイオンで SOPHI-200 は 200kV、SOPHI-260 は 260kV まで加速できます。
保守がしやすく所有コストも低く、オプションで 5kV からの低エネルギー注入もできます。Φ125・150・200mm の基板に対応し、パワーデバイスなどの薄型基板プロセス、SiC プロセス、VCSEL、SOI／LNOI、MEMS に使われます。
主な特長
- •パワー・IGBT 向けでトップシェア
- •極薄・反り基板を直接搬送
- •平行ビームで高精度注入
主な仕様
| エネルギー | 最大 600keV（SOPHI-200）・780keV（SOPHI-260） |
|---|---|
| 基板サイズ | Φ100〜200 mm |
| 最大ビーム電流 | 2,500 eμA |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVIISta 900XP | Axcelis TechnologiesPurion M | 日新イオン機器EXCEED3000AH | 住友重機械イオンテクノロジーMC3-Ⅱ(MC) | ULVAC（アルバック）IMX-3500（イオン注入装置） | ULVAC（アルバック）SOPHI（中電流イオン注入装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 区分 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | 中電流イオン注入装置 | — | — |
| 主要用途 | ウェル形成・しきい値調整などの精密注入 | ウェル・チャネル・HALO・ソースドレインの中ドーズ注入 | 注入角度・エネルギー精度が要求される中ドーズ注入 | ウェル形成・しきい値調整注入 | — | — |
| 関連機種 | VIISta 900 3D | — | EXCEED400HY（水素注入） | SAion（高電流／中電流一体型） | — | — |
| エネルギー範囲 | 300 keV（+ 価数）／600 keV（++ 価数） | 2 keV ～ 1 MeV | — | — | — | — |
| エネルギー | — | — | — | — | 30〜200keV（オプションで 3〜200keV） | 最大 600keV（SOPHI-200）・780keV（SOPHI-260） |
| 基板サイズ | — | — | — | — | 最大 Φ150（Φ200・不定形基板にも対応） | Φ100〜200 mm |
1機種だけが掲載している項目（8件）
| 重視項目 | 精度・クリーンさ・生産性 | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| プラットフォーム | — | Purion（H／M／XE 共通） | — | — | — | — |
| スループット | — | 500 WPH（枚葉プラットフォーム） | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm | — | — | — |
| 系譜 | — | — | EXCEED2000（1994年）以来の中電流シリーズ | — | — | — |
| 特徴 | — | — | — | 操作性と信頼性を重視した設計 | — | — |
| イオン種 | — | — | — | — | B・P・As・Si・Ge・Sb・In ほか | — |
| 最大ビーム電流 | — | — | — | — | — | 2,500 eμA |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •IGBT・パワーデバイスの注入
- •SiC プロセス・VCSEL
掲載カテゴリ
SOPHIは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
ULVAC（アルバック）
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
中電流イオン注入装置のほかの製品
ULVAC（アルバック）のほかの製品
ENTRON-EXX（PVD装置）CME-200E（PE-CVD）（CVD装置）ENTRON-EX W300（PVD装置）ei-5（真空蒸着装置）HELIOT 900 シリーズ（リークディテクタ）Luminous NA シリーズ（アッシング装置（レジスト灰化））CCMT-D シリーズ（真空計・圧力コントローラ）H83／H84（拡散炉）（拡散炉）IMX-3500（イオン注入装置）（中電流イオン注入装置）IH（高エネルギーイオン注入装置）（高エネルギーイオン注入装置）SOPHI-400（高エネルギーイオン注入装置）（高エネルギーイオン注入装置）RISE-300（自然酸化膜除去装置）（ドライ洗浄装置）NLD-570（ドライエッチング装置）（MEMS）NLD-5700（ドライエッチング装置）（MEMS）NE-550EX（ドライエッチング装置）（ドライエッチング装置）uGmni-200E（ドライエッチング装置）（ドライエッチング装置）ei-5／EVD-600LP（蒸着装置）（真空蒸着装置）CC-200（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））CME（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））uGmni-200C（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））CS（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）SEGul-200（GaN スパッタエピ装置）（化合物半導体）SRH（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）SME（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07