VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）
150/200mm の SiC ウェーハ向けホットイオン注入装置。結晶格子へのダメージを抑え、室温注入に比べ抵抗率を 40 分の 1 以下にする。
VIISta 900 3Dとは
VIISta 900 3D は、Applied Materials（旧 Varian）の中電流イオン注入装置のフラッグシップで、2xnm 以降のノードの量産に使われます。ビームラインは、ロジックの finFET や 3D メモリ構造でドーパントを正確に配置し、ウェーハ面内とウェーハ間のばらつきを最小にするための角度精度とビーム形状制御を持ちます。
フィルターマグネットで不要な注入種の大半をイオン源の直後で取り除き、トリプルマグネット構成で、ビーム中の金属、パーティクル、異種イオン、汚染をウェーハに届く前に除去します。中電流機の中で最もクリーンなビームラインとしています。縦方向の角度とビーム形状の制御、閉ループのマイクロ／マクロ均一性計測により、縦横の角度精度を 0.1° と、前世代の 2 倍に高めました。
オプションの統合ホット注入機能は、注入中のシリコンや高移動度チャネル材料の結晶性を保ちます。3D デバイスの性能と消費電力に影響する結晶ダメージの制御に使われ、SiC パワーデバイスのホットイオン注入にも用いられています。
主な特長
- •縦横の角度精度 0.1°（前世代比 2 倍）
- •トリプルマグネットのクリーンなビームライン
- •閉ループの均一性計測
- •統合ホット注入（オプション）
主な仕様
| 方式 | ホットイオン注入 |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | 150 mm／200 mm |
| エネルギー | 中電流機（VIISta 900 系） |
| 主要用途 | SiC パワーデバイスの不純物注入 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
イオン注入：2機種の比較
| 項目 | 日新イオン機器IMPHEAT-II | Applied MaterialsVIISta® 900 3D（ホットイオン注入） |
|---|---|---|
| 方式 | 高温イオン注入（基板温度 500 ℃） | ホットイオン注入 |
| 対応ウェハ径 | SiC ウェーハ | 150 mm／200 mm |
| エネルギー | 最大加速電圧 320 kV・最大 960 keV | 中電流機（VIISta 900 系） |
| 主要用途 | SiC パワーデバイスの不純物注入 | SiC パワーデバイスの不純物注入 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •finFET・3D メモリの精密注入
- •SiC パワーデバイスのホットイオン注入
- •CMOS イメージセンサー
掲載カテゴリ
VIISta 900 3Dは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。