PE2O8とは
PE2O8 は、ASM の SiC エピタキシャル成長装置です。SiC エピは、電気自動車やグリーンエネルギーから最新の AI データセンターまで、少ない電力でより多くを処理するチップへの転換で重要な役割を担っています。
2 つのコンパクトな枚葉反応炉を持ち、優れた生産性、高いスループット、業界最高水準のプロセス均一性を実現します。反応炉の保守は簡単で速く、高温での出し入れを含むカセットからカセットまでの全自動運転ができます。
クロスフローのホットウォール反応炉で熱制御に優れ、誘導加熱を使います。6 インチと 8 インチのウェーハを処理でき、PE1O8 からプロセスレシピを簡単に移せます。
主な特長
- •デュアル反応炉で高生産性
- •ホットウォール・クロスフロー
- •6／8 インチ対応
- •PE1O8 からレシピ移行が容易
主な仕様
| 方式 | デュアルチャンバーの SiC エピ（ホットウォール・クロスフロー） |
|---|---|
| 加熱 | 誘導加熱 |
| 対応ウェハ径 | 6／8 インチ |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）UNITY™ Me+ | ASMインターナショナルPE1O6A／PE1O8（SiC エピ装置） | ASMインターナショナルPE2O8™（SiC エピ装置） |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 100／150／200 mm | — | 6／8 インチ |
| 方式 | — | 枚葉クロスフロー反応炉の SiC エピ | デュアルチャンバーの SiC エピ（ホットウォール・クロスフロー） |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| チャンバー | SCCM（酸化膜）・DRM・UD（Si／SiC トレンチ）、1〜4 室 | — | — |
|---|---|---|---|
| 対応基板 | Si・SiC・ガラス・サファイア・LN・LT など | — | — |
| 均一性 | — | 膜厚 1% 未満・ドーパント 2% 未満 | — |
| 成長速度 | — | 最大 60µm/h | — |
| 加熱 | — | — | 誘導加熱 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワーデバイスのエピ
掲載カテゴリ
PE2O8は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
ASMインターナショナル
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
SiCパワー半導体製造装置のほかの製品
ASMインターナショナルのほかの製品
SONORA（拡散炉）XP4 EmerALD®（ALD装置）XP4 Pulsar®（ALD装置）XP8 Synergis®（ALD装置）XP8 DCM™ PEALD（ALD装置）XP8 QCM PEALD（ALD装置）XP8 JQCM™ PEALD（ALD装置）XP8 Magma PEALD（ALD装置）Epsilon® 2000（エピタキシャル成長装置）Intrepid® ES（エピタキシャル成長装置）Previum®（エピ前プリクリーン）（ドライ洗浄装置）PE1O6A／PE1O8（SiC エピ装置）（SiCパワー半導体製造装置）XP8 DCM™ PECVD（PECVD（プラズマCVD））XP8 Vertos™（PECVD（プラズマCVD））A400 DUO（拡散炉）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07