PE1O6A／PE1O8（SiC エピ装置）
枚葉クロスフロー反応炉を持つ ASM の単一チャンバー SiC エピタキシャル成長装置。成長速度は最大 60µm/h。
PE1O6A／PE1O8とは
PE1O6A と PE1O8 は、ASM の単一チャンバーの SiC エピタキシャル成長装置です。枚葉のクロスフロー反応炉を持ち、ウェーハ上で業界最高水準の性能を出します。
カセットからカセットまでの全自動運転で、高温のままウェーハを出し入れできます。
膜厚の制御は 1% 未満、ドーパントの均一性は 2% 未満と優れ、成長速度は最大 60µm/h です。保守の間隔が長く生産性が高く、信頼性と再現性も高く、設置面積も小さい装置です。パワーデバイスのトランジスタ向けの SiC エピに使われます。
主な特長
- •膜厚均一性 1% 未満
- •成長速度 最大 60µm/h
- •高温での出し入れ
主な仕様
| 方式 | 枚葉クロスフロー反応炉の SiC エピ |
|---|---|
| 均一性 | 膜厚 1% 未満・ドーパント 2% 未満 |
| 成長速度 | 最大 60µm/h |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）UNITY™ Me+ | ASMインターナショナルPE1O6A／PE1O8（SiC エピ装置） | ASMインターナショナルPE2O8™（SiC エピ装置） |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 100／150／200 mm | — | 6／8 インチ |
| 方式 | — | 枚葉クロスフロー反応炉の SiC エピ | デュアルチャンバーの SiC エピ（ホットウォール・クロスフロー） |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| チャンバー | SCCM（酸化膜）・DRM・UD（Si／SiC トレンチ）、1〜4 室 | — | — |
|---|---|---|---|
| 対応基板 | Si・SiC・ガラス・サファイア・LN・LT など | — | — |
| 均一性 | — | 膜厚 1% 未満・ドーパント 2% 未満 | — |
| 成長速度 | — | 最大 60µm/h | — |
| 加熱 | — | — | 誘導加熱 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワーデバイスのエピ
掲載カテゴリ
PE1O6A／PE1O8は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
ASMインターナショナル
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07