隱形切割（Stealth Dicing：SD）是將雷射光聚焦於晶圓內部形成改質層（多光子吸收造成的加工痕），之後再以擴片（擴張膠膜）將晶圓裂斷成單顆晶粒的切割技術，由迪思科（DISCO）實用化。與以刀片（砂輪）切削的傳統方法不同，此技術不會物理性切削表面，因此不會產生切屑（debris），適合加工極薄晶圓與易碎材料。
最大的優點是切割道損耗（kerf）幾乎為零，可大幅抑制崩邊（chipping，端面缺損）與微裂紋。因此晶粒的抗折強度得以提升，即使是記憶體多層堆疊或卡片用途等薄化至 50μm 以下的晶圓，也能以高良率進行單顆化。由於屬於乾式製程，不使用純水或切削水，也有助於減輕清洗負擔。
製程上，依晶圓厚度將雷射的聚焦位置（改質層深度）分成多段形成，再藉由切割膠膜的擴張施加應力使其裂斷。此技術也逐漸應用於 MEMS、影像感測器等不希望損傷表面結構的元件，以及 SiC 等硬脆材料的加工。
隱形切割是迪思科的註冊商標與核心技術，與雷射切割、電漿切割並列為新世代的單顆化手法。考量到刀片切割在成本與產出量上仍保有優勢的取捨，隱形切割正於要求薄型化與高可靠度的用途中逐步普及。