抗折強度是把板狀或棒狀材料彎曲時，到破裂為止所能承受的力（彎曲強度）。在半導體中，作為表示切割後晶片不易破裂程度（晶片強度、die strength）的指標，單位是 MPa（百萬帕）。
量測以3點彎曲試驗為基本：把晶片放在2個支點上，從中央施壓，依破裂時的力計算強度；也有增加支點與施力點的4點彎曲試驗，以及把晶片放在環上、以球施壓的方法。矽是脆性材料，強度取決於表面與邊緣的微小傷痕（研磨痕或切割崩邊），即使條件相同差異也很大。因此要量測大量晶片，以韋伯分布做統計評估。
像智慧型手機或堆疊記憶體那樣把晶片磨薄到數十 μm 時，研磨形成的傷痕層（損傷層）影響變大，晶片容易破裂。因此在研磨後以乾式拋光、CMP 或電漿蝕刻去除損傷層（應力消除，stress relief），以恢復強度。切割崩邊（chipping）也會降低強度，所以會使用先切割再研磨的 DBG，或在內部形成改質層的隱形切割。
