次世代架構用語一覽
涵蓋背面供電、三維積體電路、小晶片（Chiplet）整合、矽光子與記憶體內運算等新一代架構。這些技術試圖在電晶體微縮之外，從結構與系統層面持續提升效能並降低功耗。
次世代架構的用語（16 個）
- 埃米世代埃米世代是指半導體製程節點命名從「奈米（nm）」單位轉向「埃（Å，1Å＝0.1nm）」單位的時代，因英特爾於2021年發表的藍圖採用「Intel 20A」「Intel 18A」等命…
- 奈米片電晶體奈米片電晶體是GAA（Gate-All-Around）FET的一種形式，由閘極電極從四周環繞水平堆疊的薄半導體通道（奈米片），閘極對通道的控制能力比FinFET大幅提升。
- CFET（互補式場效電晶體）CFET（互補式場效電晶體）是將N通道FET（NFET）與P通道FET（PFET）沿垂直方向堆疊的三維電晶體結構，可將互補式電晶體對收納於1個電晶體的佔用面積內，大幅縮小單元面積。
- BSPDN（背面供電網路）BSPDN（背面供電網路）是將電源導線（VDD、VSS）形成於晶圓背面，使正面的訊號導線與電源導線完全分離的架構，可大幅降低電壓降（IR Drop）並緩解繞線壅塞。
- 背面內連線技術背面內連線技術是在半導體晶片矽基板背面形成金屬導線之技術的總稱，可從電晶體上下兩面引出導線，同時改善導線密度與電源品質。
- 氣隙介電層（Air Gap）氣隙介電層（Air Gap）是以空氣取代固態低介電常數（Low-k）材料作為金屬導線間絕緣材料的技術。空氣的相對介電常數k＝1.0，比任何固體材料都低，可最大限度降低導線間寄生電容…
- 叉型片電晶體（Forksheet）叉型片電晶體（Forksheet）是介於GAA奈米片電晶體與CFET之間的次世代電晶體結構，在NFET與PFET之間夾入介電牆使兩者一體化，可縮小配置面積，又不像CFET那樣使製程…
- CXL（Compute Express Link）CXL（Compute Express Link）是由英特爾主導制定、CXL Consortium 管理的開放標準高速互連規格，利用 PCIe 實體層，以一致的記憶體語意連接 CP…
- DTCO（設計與製程協同最佳化）DTCO（設計與製程協同最佳化）是將半導體製程設計與晶片設計（EDA）同時、反覆進行最佳化的方法，在 2nm 以後的先進節點已不可或缺。
- 閘極介電層微縮閘極介電層微縮是藉由將 MOSFET 的閘極絕緣層變薄來提升電晶體控制能力的技術，為解決閘極漏電流激增的取捨，推動了 EOT 概念與 High-k 材料的採用。
- 記憶體內運算（PIM）記憶體內運算（PIM）是在記憶體晶片內部或鄰近記憶體之處內建運算電路，以消除資料傳輸瓶頸（記憶體牆）的創新運算架構。
- 神經形態晶片（Neuromorphic Chip）神經形態晶片是以硬體模仿人腦神經迴路（神經元、突觸）結構與運作原理的創新積體電路，實現與傳統馮紐曼架構根本不同的資訊處理典範。
- 單晶片3D整合（Monolithic 3D）單晶片3D整合（M3D）是在同一基板上依序形成多個電晶體層，將層間連接（MIV）間距微縮至10nm以下的超高密度3D晶片堆疊技術。
- BSPD（晶背供電網路）BSPD（晶背供電網路）是從半導體晶片的晶圓背面供應電源與接地導線的技術，藉由將電源導線分離至背面，根本解決IR壓降與電源雜訊問題。
- PCIe（PCI Express）PCIe（PCI Express）是由PCI-SIG制定與管理的序列匯流排介面規格，用於個人電腦與伺服器上CPU、GPU、SSD、網路卡等高速裝置之間的通訊。
- 共同封裝光學（CPO）共同封裝光學（CPO）是將交換器 ASIC、GPU／AI 加速器等電子晶片與光收發器整合於同一封裝內的技術，可將電訊號傳輸距離縮至最短，大幅降低功耗與訊號損失。
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最後更新：2026年10月8日