背面內連線技術（Backside Interconnect）是在半導體晶片矽基板背面（backside）形成金屬導線之技術的總稱。傳統半導體只在電晶體上方的正面（frontside）形成多層金屬導線，導入背面導線後，可從電晶體上下兩面引出導線，同時改善導線密度與電源品質。
背面導線大致分為「背面供電（BSPDN）」與「背面訊號導線」2種。BSPDN是將VDD/VSS電源軌移至背面的技術；訊號導線則是為緩解正面繞線壅塞，將關鍵訊號線路繞至背面的做法。目前主流是BSPDN，但未來也考慮將背面用於訊號導線。
在製程上，將晶圓暫時接合於載體並把背面薄化至數μm～數十μm左右，再形成奈米尺度的通孔，連接正面的電晶體／導線與背面的電源及訊號導線。此製程需要綜合多項高階技術，包括直接接合（銅－銅、氧化膜－氧化膜）、精密晶背研磨與CMP、深通孔蝕刻（高深寬比乾式蝕刻），以及以ALD、PVD進行的薄膜沉積等。
主要晶圓代工廠正在背面內連線技術上展開開發競賽。英特爾的「PowerVia」（用於18A）、台積電的「Super Power Rail（SPR）」（預定用於A16）、三星的「背面電源軌」技術，都已納入各自的藍圖。研究機構imec也主導背面導線的製程研究。
背面內連線技術的普及，將為相關設備與材料供應商帶來龐大的商機。晶圓薄化設備（迪思科、東京精密）、晶圓接合設備（EV Group、SUSS MicroTec、村田機械）、高深寬比蝕刻設備（科林研發、東京威力科創）、ALD設備（應用材料、ASM International）等的需求可望擴大。