BSPDN（Backside Power Delivery Network：背面供電網路）是將電源導線（VDD、VSS）形成於晶圓背面（backside），使正面的訊號導線與電源導線完全分離的架構。傳統晶片的電源導線與訊號導線共用相同的導線層，因此繞線壅塞與電壓降（IR Drop）成為性能與能源效率的瓶頸。BSPDN能從根本解決此問題。
BSPDN最大的優點是大幅降低電壓降（IR Drop）。將電源導線移至可形成粗而短導線的晶圓背面，可大幅降低電阻，實現穩定供電。此外，正面導線層專供訊號導線使用，繞線自由度增加，繞線壅塞得以緩解。試算顯示，在相同電晶體數下可縮減10～20%的晶片面積。
英特爾的「PowerVia」是最受矚目的BSPDN商用實作。英特爾將PowerVia整合至Intel 18A製程，表示將全球首度製造結合BSPDN與GAA（RibbonFET）的半導體。2023年以測試晶片「Blue Sky Creek」發表了PowerVia的運作驗證。台積電也計畫以Super Power Rail（SPR）之名，在A16（1.6nm節點）導入BSPDN。
製造需要特殊製程。將正面已完成電路的晶圓進行暫時接合（貼附於載體晶圓），把晶圓背面薄化（晶背研磨、CMP）至數μm左右後，在背面形成通孔（Buried Power Rail＝BPR：埋入式電源軌）並製作電源導線。晶圓薄化、接合與背面加工的設備需求日益提高，預期晶圓接合設備、薄化CMP設備、背面ALD／蝕刻設備的投資將擴大。
BSPDN對AI用高效能晶片（GPU、NPU、CPU等功率密度高的用途）特別有利。電源品質的改善可帶來時脈頻率提升與動態功耗降低，已成為左右資料中心半導體競爭力的技術。BSPDN的普及也直接帶動晶圓薄化設備（迪思科（DISCO）、東京精密）與接合設備（EV Group、SUSS MicroTec）的需求擴大。