CUA（CMOS under Array）とCBA（CMOS Bonded Array、CMOS directly Bonded to Array）は、3D NANDフラッシュで、セルを動かすための周辺回路（ページバッファ、センスアンプ、デコーダなど）を、メモリセルの積層の横ではなく真下に置く構造です。従来は周辺回路をセルアレイの脇に並べていたため、チップ面積の2〜3割を周辺回路が占めていました。真下に置けば、同じ面積に入るセルの割合を大きく増やせます。
CUAは、同じウェハの上にまずCMOSの周辺回路を作り、その上にメモリセルを積み上げる方式です。Micronなどが採用し、Intelと共同開発した世代から使われてきました。ただし、セルの積層を作るときの高温の工程が下のCMOS回路にも加わるため、トランジスタの性能を上げにくいという制約があります。
CBAは、周辺回路とメモリセルを別々のウェハで作り、最後に2枚を向かい合わせて銅どうしで貼り合わせる方式です。キオクシアとWestern Digitalが第8世代のBiCS FLASHで採用し、YMTCのXtackも同じ考え方です。それぞれの工程を最適化できるため、周辺回路を高速にでき、入出力の速度も上げやすくなります。ウェハどうしのハイブリッドボンディングの技術が必要になり、3D DRAMでも同様の構造が検討されています。
