鈷金屬導線（Cobalt Interconnect）是在半導體晶片的局部導線層（M0：接觸層～M1左右），以鈷（Co）取代傳統鎢（W）或銅（Cu）的導線技術。英特爾在2016年前後的10nm製程（後來相當於7nm）於接觸插塞與局部導線採用Co，使其廣為業界所知。應用材料已將Co成膜設備產品化，推動其普及。
採用鈷金屬導線的背景在於鎢的極限。鎢以CVD成膜，長期作為接觸窗／通孔的插塞材料，但在導線寬度小於20nm時，會出現電阻率急遽上升的問題。鈷的電阻率低於W（塊材值約6μΩ·cm，W以CVD成膜時超過約20μΩ·cm），且與Cu導線的親和性高，可作為兼具Cu擴散阻障層與襯墊層功能的薄膜。
鈷的CVD與ALD成膜採用使用有機鈷前驅物（Co₂(CO)₈等）的低溫製程。成膜後以CMP平坦化，形成局部導線或接觸插塞。與Cu不同，鈷在矽中的擴散相對較小，可將阻障膜做薄，因而擴大有效導線截面積。但其晶粒尺寸小，仍受晶界散射影響，因此在進一步微縮時，正評估以釕（Ru）作為後繼材料。
如英特爾的混合導線策略（M0：Ru、M1：Co、M2以上：Cu）所示，依各導線層的尺寸與要求特性選擇最適金屬的「導線材料多樣化」正在推進。台積電與三星也在部分製程中採用鈷，用於形成局部低電阻接觸。
鈷金屬導線的普及，為Co前驅物材料廠商（Umicore、默克、Air Liquide等）及CVD/ALD設備廠商（應用材料、科林研發）提供事業擴展的機會。鈷是稀有金屬，且有依賴剛果民主共和國供應的地緣政治風險，因此材料採購的多元化與回收技術的開發也在推進中。