Endura Cirrus HT Co PVD的特點與規格

Endura Cirrus HT Co PVD 是應用材料的高溫鈷（Co）PVD 設備。微縮使導線與接觸窗變細時電阻會增加，RC 延遲會使經由 DRAM 位元線的資料讀寫變慢，或使功耗增加。

特別是在 DRAM 中，主動區與第一層導線之間的半導體與金屬介面能否快速傳導電荷十分重要。因此會使用低電阻的鈷金屬矽化物，而其效果取決於能否形成厚度足夠且均勻的介面層。

Cirrus HT Co 即使在深寬比變高的結構中也能確保所需的底部覆蓋率，沉積形成金屬矽化物所需的鈷膜。