鉬導線（Molybdenum Interconnect）是以鉬（Mo）取代銅（Cu）作為半導體晶片微細導線材料的次世代內連線技術。當導線寬度縮小到10nm以下時，銅會因電子散射而出現電阻率急遽上升的「尺寸效應」；鉬則因晶界散射較少，即使在微細尺寸下也能維持相對較低的電阻率，因此作為2nm以後先進邏輯節點局部導線（M0～M2層）的候選材料而備受矚目。
就鉬的材料特性而言，塊材電阻率約5.5μΩ·cm（銅：1.7μΩ·cm），略高於銅，但在5nm以下的線寬，表面與晶界散射的影響比銅小，模擬與實驗皆已確認鉬的有效電阻率會低於銅。此外，鉬熔點高（2620℃），耐高溫製程，適合用於要求接觸窗附近熱穩定性的局部導線層。
應用材料在鉬導線的沉積技術（支援PVD、CVD、ALD）開發上居於領先，並在2023～2024年的學會發表中公開了與英特爾、台積電的共同研究成果。英特爾已暗示將在Intel 18A世代的局部導線採用Mo，台積電也在評估將Mo、Ru作為2nm節點以後的導線材料。
鉬導線形成的課題包括：①以乾式蝕刻進行圖案化的難度（揮發性蝕刻副產物的控制）；②阻障金屬選擇的最佳化；③CMP（化學機械研磨）中選擇比與研磨速率的控制。此外，評估因與導線間絕緣層（Low-k材料）熱膨脹係數差異所造成的應力遷移（stress migration）耐受性，也是重要的研究課題。
除鉬以外，釕（Ru）也被視為有力的次世代導線材料候選。Ru可進行無阻障層沉積，具有減少阻障層體積的優點，正評估用於更上層的導線層（M3～M5）。半導體導線材料的多元化，也促使材料供應商（Entegris、Air Products等）加強前驅物的供應體制。