釕金屬導線（Ruthenium Interconnect）是以釕（Ru）取代傳統銅（Cu）作為半導體晶片細線導線材料的技術。釕是屬於鉑族的稀有金屬，最大特點是在導線寬度縮小至奈米尺度時，有效電阻率低於銅。英特爾、應用材料與imec正積極推動研究與實作。
銅導線在導線寬度小於10nm時，受表面散射與晶界散射影響，電阻率會急遽上升。此外，銅為了防止擴散進入矽或氧化膜，需要TaN/Ta阻障金屬，而這層阻障層會進一步壓縮有效導線截面積。相較之下，釕具有自我鈍化效應，可在不使用阻障金屬（或將阻障層極薄化）的情況下使用，能大幅降低細線的有效電阻。
據報導，英特爾採用在M0（閘極接觸層）使用釕、M1以上使用銅的混合導線。應用材料主導Ru的ALD（原子層沉積）成膜與CMP（化學機械研磨）技術開發，並已推出「Endura Volta CVD Ru」等設備。台積電也在評估於N2之後的局部導線層採用Ru。
從製程角度來看，Ru的ALD（以釕前驅物＋氧化劑進行低溫成膜）相當有效，但仍有碳混入、膜密度、CMP後表面品質等待克服的課題。Ru是稀有金屬，採購成本與價格波動是風險，因此將使用量最小化（無阻障極薄膜）與回收再利用技術的開發也是重要主題。
釕金屬導線率先應用於先進邏輯晶片的局部導線（M0～M2層級），未來也在討論應用於高密度DRAM的儲存節點接觸窗與3D NAND結構。Ru導線的普及正創造ALD製程氣體、釕前驅物材料、CMP研磨液等新材料需求，成為材料供應商（JSR、默克（Merck）、Umicore等）的重要成長領域。