依元件類別的半導體製造（Device-Specific Semiconductor Manufacturing）是針對 CPU、GPU 等邏輯，DRAM、NAND Flash 等記憶體，SiC、GaN 等功率半導體，CMOS 影像感測器（CIS），RF（射頻）元件等各種元件類別與用途，經最佳化之專用製程與晶圓廠營運的總稱。
邏輯元件（CPU・GPU・SoC）製造以最先進的 FinFET・GAA 電晶體結構與 EUV 微影為核心，特色是超多層內連線（15層以上的 Cu/Low-k）與先進封裝（CoWoS・SoIC）。台積電作為承擔全球約60%最先進邏輯製造的晶圓代工廠，擁有壓倒性地位。
記憶體元件（DRAM・NAND Flash）製造以記憶單元高密度化與低成本化為最重要目標，3D 堆疊（NAND：超過 200層）、High-k 電容、導入 EUV 等持續推進。三星、SK 海力士（SK hynix）、美光（Micron）3家幾乎掌握 DRAM 與 NAND 的全部市場，各家以自有的製程架構展開微縮與堆疊層數的競爭。
功率元件（SiC MOSFET・GaN HEMT）製造需要有別於矽 IC 的專用製程（高溫離子佈植・高溫活化退火・SiC 磊晶・MOCVD）。為因應 EV 與工業用變頻器需求的急速成長，Wolfspeed、意法半導體（STMicroelectronics）、英飛凌（Infineon）正大規模投資專用 SiC 晶圓廠。
CMOS 影像感測器（CIS）是索尼（Sony）擁有全球約40～50%市占的領域，背照式（BSI）、堆疊式（LS-CIS：以混合鍵合堆疊邏輯晶粒與感測器晶粒）等獨特的製程不斷發展。智慧型手機、汽車（ADAS）、醫療用 CIS 需求長期持續成長，針對元件特性的製造最佳化決定了競爭力。