電子束光罩寫入機（E-Beam Mask Writer）是在光罩製造中，將電子束精密照射・掃描於空白光罩上，直接描繪圖案的設備。與光學微影不同，它「不需要光罩」就能寫出任意圖案，因此是光罩製造的必備設備。將高能量電子束聚焦・偏折後對光阻曝光，經顯影・蝕刻後即形成光罩圖案。
電子束寫入機主要有 2 種。高斯光束方式（Gaussian beam）以細小聚焦的電子束逐點掃描，簡單・低成本但耗時。可變成形光束方式（VSB：Variable Shaped Beam）將光束成形為矩形進行面積曝光，速度快，但複雜形狀需要大量照射次數。目前最先進的則是多電子束方式（multi-beam），以數千道電子束並行描繪。
多電子束寫入機（MBES：Multi-Beam E-beam System）由 IMS Nanofabrication 開發，並透過與應用材料（Applied Materials）的合資推向大眾市場。與傳統 VSB 方式相比實現了 10～100 倍的描繪產能，使 EUV 用光罩（含大量複雜 OPC 修正圖案）得以在可接受的製造時間內完成寫入。
作為描繪精度的指標，CDU（Critical Dimension Uniformity）與位置精度（Registration）很重要。先進 EUV 光罩要求 CDU 1σ<0.5nm、Registration 2σ<1nm 左右的精度。為達成此精度，會進行電子光學系統的像差修正、以平台干涉儀進行位置控制，以及溫度・振動・電磁場的精密管理。
光罩寫入時間是光罩成本的主要因素之一。以傳統 VSB 設備寫入 EUV 用光罩，有時需要 24 小時以上，提升產能是降低製造成本的關鍵。設備廠商以 NuFlare Technology（東芝子公司）、IMS Nanofabrication 為主要業者，是寡占市場。