最後更新:2026年10月22日曝光・微影圖案化・光罩・光阻中國大陸:反向光刻技术(ILT)

ILT是什麼(逆向微影技術)

Inverse Lithography Technology (ILT)

ILT(逆向微影技術)是從想在晶圓上形成的圖形反推,以計算求出最能重現該圖形的光罩形狀的技術。與逐步修正原始形狀的 OPC 不同,ILT 自由改變光罩形狀尋找最佳解,因此會成為含曲線的複雜光罩,即使失焦也能穩定轉寫的範圍更廣。

目錄6 項
  1. 定義與原理
  2. 圖解
  3. 常見問題
  4. 相關用語
  5. 比較文章
  6. 資料來源

定義與原理

ILT(Inverse Lithography Technology,逆向微影技術)是從想在晶圓上形成的圖形形狀反推,以計算求出最能重現該圖形的光罩形狀的技術。一般的思考方式是先決定光罩形狀,再計算會如何轉寫到晶圓上。ILT 則反向求解,從「希望在晶圓上這樣轉寫」的目標,以數學最佳化推導出光罩形狀。

以光轉寫微細圖形時,因為光的繞射與干涉,光罩的形狀無法原樣轉寫到晶圓上。修正這一點的是 OPC(光學鄰近效應修正),它會一點一點移動光罩圖形的邊,或加入小的輔助圖形。OPC 是依既定規則或模型逐步修正原始形狀的方法;ILT 則以光罩形狀可自由改變為前提尋找最佳解,因此會成為含曲線的複雜形狀(curvilinear)光罩,即使焦距或曝光量偏移,也能擴大穩定轉寫的範圍(製程窗口)。

ILT 的最佳化需要龐大的計算量,長期以來只用在部分關鍵層或熱點(hotspot)。隨著 GPU 等加速運算,以及能在短時間描繪曲線圖形的多電子束光罩寫入機普及,適用範圍正在擴大。也會與同時最佳化光源形狀與光罩的 SMO(光源光罩最佳化)搭配使用。

圖解

以思考方式、光罩形狀、計算量、製程窗口比較 OPC 與 ILT 的表

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實際上會依層別與圖形分別使用 OPC 與 ILT。

ILT(逆向微影技術)的常見問題

ILT 和 OPC 有什麼不同?
OPC 是依規則或模型一點一點移動設計圖形的邊,修正轉寫時偏差的方法。ILT 則以想在晶圓上轉寫的形狀為目標,以數學最佳化求出光罩形狀本身。ILT 計算量大,但一般認為往往能得到比 OPC 更寬的製程窗口。
為什麼 ILT 的光罩會是曲線形狀?
因為最佳化時不把光罩形狀限定為直線或直角,而是當作自由形狀來尋找解。考慮光的繞射與干涉性質,最能良好轉寫的光罩形狀會是含曲線的複雜形狀。描繪這類曲線光罩,適合使用多電子束光罩寫入機。

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比較文章

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資料來源

  1. Synopsys:Proteus Solutions(2026年10月19日確認)