最後更新:2026年10月23日PECVD(電漿 CVD)

Producer BLOk PECVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・PECVD(電漿 CVD)

沉積鑲嵌導線用超低介電常數銅阻障・蝕刻停止膜的 PECVD。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Producer BLOk(Barrier Low-k)PECVD 是應用材料用於銅導線的 PECVD 設備。沉積鑲嵌導線所用、業界領先的超低介電常數銅阻障膜與蝕刻停止膜。

採 Twin Chamber 配置,對每片晶圓原位進行專利的銅氧化物去除處理後再沉積 BLOk,因此與銅或鈷的附著性佳,可抑制電遷移。

在大幅降低整個介電堆疊電容的同時,維持蝕刻選擇比與電氣特性。易於與 Low-k 膜 Black Diamond 搭配,讓 45nm 以後的世代轉換更順利。在 Producer 平台上可同時處理最多 6 片。

主要規格

方式PECVD(Twin Chamber)
膜種超 Low-k 銅阻障・蝕刻停止膜
特點沉積前原位去除銅氧化物

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

超 Low-k 銅阻障/蝕刻停止
原位去除銅氧化物
易於與 Black Diamond 整合
同時最多 6 片

主要用途

  • 鑲嵌導線的阻障・蝕刻停止

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Producer BLOk