最後更新:2026年10月23日PVD 設備

Endura CuBS RF XT PVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・PVD 設備

沉積銅導線阻障層/晶種層(CuBS)的 PVD。面向 3X/2X nm 世代的邏輯・記憶體。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Endura CuBS RF XT PVD 是應用材料的銅導線用阻障層/晶種層(CuBS:Copper Barrier/Seed)沉積系統。用於 3X・2X nm 世代以後的邏輯與記憶體。

具備自離子化電漿的 EnCoRe II Ta(N) 阻障腔與 EnCoRe II RF XT Cu 晶種腔,可在低溫下沉積全面覆蓋、突出少且平滑的薄膜。在使阻障層變薄以降低導線電阻的同時,以底部與側壁的覆蓋抑制電遷移與應力遷移。

晶種腔透過磁控管的運動、通量控制與高再濺鍍比,進一步提高順應性覆蓋。為維持介面品質,也搭載 Aktiv 預清洗。

主要規格

方式高離子化 PVD(EnCoRe II Ta(N) 阻障層・RF XT Cu 晶種層)
對象世代3X/2X nm 以後
特點Aktiv 預清洗

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

Ta(N) 阻障層+Cu 晶種層一貫沉積
高離子化 PVD
Aktiv 預清洗

主要用途

  • 銅導線的阻障層/晶種層

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials CuBS RF XT