金屬氧化物光阻（MOR，Metal Oxide Resist）是以錫等金屬氧化物為主成分、用於 EUV 曝光的新型光阻。金屬與氧形成數 nm 的小團簇，周圍由有機分子包覆。受 EUV 光照射時，有機部分脫離，金屬氧化物彼此連結，變得不易溶於顯影液，多半作為負型使用。
最大的優點是能大量吸收 EUV 光。EUV 光（13.5nm）不太會被以碳、氫等組成的傳統有機光阻吸收，每個光子的能量雖大但數量少，光子數的變異會導致圖形粗糙與缺陷（隨機效應）。錫等金屬對 EUV 的吸收大，即使膜很薄也能有效利用光。另外，金屬氧化物耐蝕刻，即使把膜做薄也能加工下層膜，也容易防止圖形倒塌。
代表性的開發企業是 JSR 於2021年收購的美國 Inpria，採用旋轉塗佈液體的方式。另外，Lam Research 開發了以氣體原料在氣相成膜、顯影也以氣相進行的乾式光阻。在高 NA EUV 世代，焦深變淺，光阻必須變薄，因此對金屬系光阻的期待更高。由於會把金屬帶進設備與工廠，汙染管理也是課題。
