EUV 光源（EUV Source）是產生 EUV 微影所用波長13.5nm極紫外光的設備元件。目前主流技術為 LPP（Laser Produced Plasma：雷射激發電漿）方式，對高速噴射、直徑約30μm的液態錫（Sn）微液滴照射高功率 CO₂ 雷射（波長10.6μm）使其電漿化，產生13.5nm的 EUV 光。
EUV 光源的主要性能指標為輸出功率（直接關係到晶圓產能）與轉換效率（CE：Conversion Efficiency）。目前用於大量生產（HVM：High Volume Manufacturing）的 EUV 光源（ASML NXE 系列掃描機用）已達到輸出250W以上，High-NA EUV（ASML EXE:5000系列）則需要500W以上。先以預脈衝雷射照射錫液滴使其變形為扁平煎餅狀，再打上主脈衝的「2階段照射」技術，對提升轉換效率有所貢獻。
EUV 光源的主要廠商只有 Cymer（ASML 子公司）與 Gigaphoton（小松製作所・牛尾電機（Ushio）合資）2家。EUV 光源是非常複雜的系統，由錫液滴產生器・CO₂ 雷射系統・EUV 集光鏡（多層膜反射鏡）・錫廢料回收系統等構成。光源的高功率化・穩定運轉・壽命（MTBF）提升，是左右 EUV 設備競爭力的重要課題。