TMAH（Tetramethylammonium Hydroxide：氫氧化四甲基銨）是化學式為（CH₃）₄NOH的強鹼性有機化合物，在半導體製造中是最廣泛使用的光阻顯影液。它會溶解因曝光而變得可溶於鹼的光阻部分，使圖案顯現出來。與氫氧化鈉或氫氧化鉀不同，它不含鈉・鉀等金屬，因此不會造成使電晶體特性失常的金屬離子汙染，這就是它成為半導體標準的原因。
作為光阻顯影液，濃度2.38wt%（0.26N）的TMAH水溶液已成為全球標準，許多光阻都設計成在此濃度下發揮最佳性能。在塗佈顯影機（coater/developer）內，將顯影液覆蓋在晶圓上（puddle），或一邊旋轉一邊噴灑進行顯影，再以超純水沖洗。顯影時間、溫度或濃度的些微差異都會影響線寬，因此使用濃度經嚴格控管的高純度品。顯影不足時，圖案底部會殘留光阻殘渣（Scum）。
TMAH也用於矽的非等向性濕式蝕刻。高濃度的TMAH水溶液幾乎不蝕刻矽的{111}面，卻能快速蝕刻{100}面，因此可製作V形溝槽或具斜面的孔洞，用於MEMS加工。與氫氧化鉀不同，它不含金屬，優點是容易與CMOS製程整合。另一方面，TMAH經皮膚吸收後會作用於神經與呼吸，引起嚴重中毒，毒性很強，日本國內外都曾有死亡事故的報告。操作時會徹底要求穿戴防護具，並在沾附時迅速沖洗。使用後的廢液會回收再生或處理。