化學增幅型光阻（CAR，Chemically Amplified Resist）含有受光照射會產生酸的物質（光酸產生劑，PAG），以產生的酸作為觸媒，連鎖引發周圍樹脂化學反應的光阻。與1個光子只引起1次反應的傳統光阻不同，產生的酸能反覆作用，因此用少量的光就能形成圖形（靈敏度高）。1980年代由 IBM 的伊藤洋等人開發。
原理如下。曝光時受光照射的地方，PAG 分解產生酸，但此時還沒有形成圖形。接著以曝後烤（PEB）加熱晶圓，酸在樹脂中稍微移動，一一去除使樹脂不易溶於顯影液的保護基。保護基被去除的部分會溶於鹼性顯影液（TMAH），形成正型圖形。酸在反應中不會被消耗，1個酸能引發數百次以上的反應。
因為在 KrF（248nm）曝光時，原本 i-line 的酚醛樹脂系光阻靈敏度不足而實用化，在 ArF、ArF 浸潤式與 EUV 世代也是主流。弱點是酸移動的距離會使圖形邊界模糊，以及空氣中微量的胺等鹼性物質會中和酸（使圖形頂部呈 T 字形的 T-top）。在 EUV 中，因為光子數少，酸產生量的變異會造成線條粗糙與缺陷（隨機效應），因此也在開發金屬氧化物光阻等替代材料。
