SC1洗浄とは、アンモニア水（NH₄OH）・過酸化水素水（H₂O₂）・純水の混合液でウェハを洗う、半導体の代表的なウェット洗浄です。主にパーティクル（微粒子）と有機物の除去を目的とします。SC1は1960年代に米RCA社のW. Kernらが開発したRCA洗浄の第1液（Standard Clean 1）を意味し、薬液の成分からAPM（Ammonia-hydrogen Peroxide Mixture）洗浄とも呼ばれます。
従来の標準的な条件は、NH₄OH：H₂O₂：H₂O＝1：1：5の比率で、液温70〜80℃程度です。過酸化水素がシリコン表面を酸化して薄い酸化膜を作り、アンモニアがその酸化膜をわずかに溶かすという反応が同時に進むため、表面がごく薄く削られ（リフトオフ）、付着していたパーティクルが浮き上がって除かれます。アルカリ性の液中ではウェハ表面とパーティクルがともにマイナスに帯電するため（ゼータ電位）、剥がれたパーティクルが再付着しにくいことも、SC1がパーティクル除去に強い理由です。
一方で、アルカリ性の液中では鉄・アルミニウム・亜鉛などの金属が表面に付着しやすく、シリコンをわずかにエッチングして表面を荒らすこともあります。そのため、SC1の後に金属を除くSC2洗浄や希フッ酸（DHF）洗浄を組み合わせて使います。近年は、表面の削れ量と薬液の使用量を減らすために1：1：50〜100程度に薄めた希釈SC1が主流で、メガソニック（超音波）や二流体スプレーで物理的な力を加えてパーティクル除去力を補います。洗浄はバッチ式のウェットベンチでも、枚葉式の洗浄装置でも行われます。