SoIC（System on Integrated Chips）是台積電提供的 3D 先進封裝技術，不使用凸塊，而以銅對銅的混合鍵合直接接合多顆晶粒並垂直堆疊。由於採用不經由焊料凸塊的無凸塊接合，可大幅微縮連接間距，與傳統的覆晶堆疊相比，能大幅提升線路密度、頻寬與能源效率。
SoIC 的接合以 Cu-Cu 混合鍵合為基礎：先將各晶粒表面的銅焊墊與絕緣膜平坦化，在室溫下貼合，再以退火使銅一體化。連接間距從微凸塊的數十 μm 縮小到數 μm 以下，使晶粒之間能如同1顆晶片般緊密結合。有 Wafer-on-Wafer（WoW）與 Chip-on-Wafer（CoW）兩種方式。
SoIC 不僅可單獨使用，還能與台積電的 2.5D 技術 CoWoS 組合成「SoIC+CoWoS」架構，將以 3D 堆疊的晶粒群再於中介層上與 HBM 連接，實現多層次的整合。超微（AMD）的 3D V-Cache（堆疊 SRAM）是廣為人知的 SoIC 系技術代表性採用案例。
SoIC 與英特爾的 Foveros 並列為 3D 混合鍵合的主要解決方案，在 AI・HPC・高效能 CPU 領域的需求正急速擴大。混合鍵合設備（EV Group・SUSS MicroTec）以及超精密的平坦化・接合製程，是量產的關鍵。