銅凹陷（Cu Recess）是指在混合鍵合之前，接合面上銅（Cu）電極墊的表面比周圍絕緣膜表面略低（約幾 nm）的狀態，或指這個凹陷的量。混合鍵合是讓2個銅電極與絕緣膜混在一起的平坦表面相對，同時把銅與銅、絕緣膜與絕緣膜接合的技術，這幾 nm 凹陷的控制會左右接合的成敗。
接合分2個階段進行。首先在室溫把2個表面貼合，平坦的絕緣膜之間會以分子間的力黏在一起。此時因為銅略為凹陷，銅與銅之間還留有小間隙。接著進行熱處理，銅受熱膨脹的幅度比絕緣膜大（熱膨脹係數較大），因此會填滿間隙，銅與銅互相壓緊，原子擴散後合為一體。若銅是凸出的，銅會先碰在一起，使絕緣膜之間無法接合，留下間隙（孔洞，void）。
反之，凹陷太深時，即使受熱膨脹，銅與銅也碰不到，無法電性連接。凹陷量會隨 CMP 的研磨條件、銅與絕緣膜的研磨速率比、墊的大小與圖形密度而變化，因此必須在整片晶圓上控制在幾 nm 的範圍內。一般以原子力顯微鏡（AFM）等量測表面高度來管理。電極間距越細，允許的範圍就越窄。
