晶圓乾燥設備是什麼
晶圓乾燥設備是從清洗後的晶圓表面去除液體的設備。目的不只是把水甩乾，而是在乾燥時讓液膜退去，同時不產生水痕（watermark）與圖形崩塌。方式包括利用 IPA 蒸氣表面張力差的馬蘭哥尼乾燥、以離心力甩乾的旋轉乾燥，以及以超臨界 CO₂ 消除氣液界面本身的超臨界乾燥，深寬比越高的微細圖案越需要後者。即使清洗性能良好，若在乾燥時造成缺陷就前功盡棄，因此會與清洗設備一體設計。
重點整理
目的是讓液膜退去，同時不產生水痕與圖形崩塌
有馬蘭哥尼乾燥・旋轉乾燥・超臨界 CO₂ 乾燥 3 種方式
高深寬比圖案需要能消除氣液界面的超臨界乾燥
即使清洗性能良好，若在乾燥時造成缺陷也毫無意義
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批次式清洗設備
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光阻剝除設備（濕式）光阻剝除設備（濕式）是在曝光、蝕刻、離子佈植完成後，以藥液溶解去除已不需要的光阻的設備。
單晶圓清洗設備單晶圓清洗設備（Single Wafer Cleaning）是將晶圓 1 片 1 片個別處理的精密清洗系統。
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濕式清洗設備濕式清洗（Wet Cleaning）是使用藥液與超純水去除晶圓表面污染物的濕式製程。