TWINSCAN NXE:3600D

ASML の NA 0.33 EUV 露光装置。前世代 NXE:3400C 比で生産性を 15〜20% 高め、5nm・3nm ロジックと先端 DRAM の量産に使われる。

TWINSCAN NXE:3600Dとは

TWINSCAN NXE:3600D は、ASML の EUV（極端紫外線）露光装置です。スズのプラズマから発生させた波長 13.5nm の EUV 光を使い、反射型の投影光学系で回路パターンをウェーハに焼き付けます。開口数（NA）は 0.33、最大露光フィールドは 26×33mm で、300mm ウェーハを扱います。

5nm・3nm のロジックノードと最先端 DRAM ノードの量産向けに設計されており、前世代機 NXE:3400C に比べて生産性を 15〜20% 高めました。低 k1 の用途に対応する柔軟なマスク照明光学系を備えます。

ウェーハごとに結像と重ね合わせを装置内で計測・補正する機能を持ち、計測と露光を並行して進めるワークフローにも対応します。EUV 露光装置は ASML が唯一の供給元で、先端半導体の量産に欠かせない装置です。

主な特長

•EUV 13.5nm 光源（スズプラズマ）と反射型投影光学系
•NA 0.33、最大露光フィールド 26×33mm
•NXE:3400C 比で生産性 15〜20% 向上
•ウェーハごとの結像・重ね合わせのその場計測と補正

主な仕様

光源	EUV 13.5 nm（スズプラズマ）
開口数（NA）	0.33
最大露光フィールド	26 × 33 mm
対応ウェハ径	300 mm
主要用途	5nm・3nm ロジック、先端 DRAM の量産

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。