DSiEとは
DSiE は、Lam Research の深堀りシリコンエッチング装置のファミリーです。エッチングと保護膜を交互に行うボッシュ法と、定常的にエッチングする方法の両方を使え、高いエッチング速度と生産性を持ちます。
ガス流量比やトランス結合の容量調整で深さの均一性を調整でき、対称性の改善と傾きの最小化のための高度な制御も持ちます。高速のガス切り替えで CD も調整できます。
MEMS のトレンチやキャビティの深堀り、パワーデバイスのシリコントレンチ、ウェーハレベルパッケージの TSV に使われます。DSiE III、DSiE F Series、DSiE G Series があります。
主な特長
- •ボッシュ法・定常法の両対応
- •深さ均一性の調整
- •高速ガス切り替えで CD 調整
主な仕様
| 方式 | 深堀りシリコンエッチング(ボッシュ法・定常法) |
|---|---|
| ラインアップ | DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series |
| 主要用途 | MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)Tactras™ | Suss MicroTecMA8 Gen5(マスクアライナー) | EV GroupEVG®510(ウェーハ接合装置) | Lam ResearchDSiE™(深堀りシリコンエッチング) | KLASPTS Omega® Rapier™ | KLAPrimaxx® Monarch 300 | KLAXactix® X4 | KLAMVD300® | アドバンテストHA7200(温度・圧力ユニット) | アドバンテストHA7300(Stimulus Test Cell) | ULVAC(アルバック)NLD-570(ドライエッチング装置) | ULVAC(アルバック)NLD-5700(ドライエッチング装置) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング(RIE) | — | — | 深堀りシリコンエッチング(ボッシュ法・定常法) | DRIE(ボッシュ法・デュアルプラズマ源) | 気相 HF(VHF)エッチング | XeF₂ 気相エッチング(パルス・連続) | 分子気相成膜(MVD) | ダイレクト温度印加・小型チャンバ・専用圧力コントローラ | — | 磁気中性線プラズマ(NLD)・低圧・低電子温度・高密度 | 磁気中性線プラズマ(NLD) |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング | MEMS・LED・マイクロ光学・光センサー | MEMS のキャップ接合・気密封止 | MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV | — | — | MEMS デバイスのリリース | MEMS の固着防止膜・腐食防止膜 | — | — | 光デバイス・マイクロレンズ・フォトニック結晶・μ-TAS | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 最大 200 mm | 小片 ~ 200 mm | — | 最大 300 mm | 200/300 mm | — | — | — | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | — | — | — | — | — | 車載用などの圧力センサ | ディーゼル排気系の差圧センサなど | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 | 石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板 |
| 特徴 | — | SUSS レベリングシステム・クラスターへの組み込み可 | — | — | — | — | 特許のデュアル膨張室 | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | — | — | — | — | MVD300・MVD300E(EFEM 付き全自動) | — | — | — | カセット室標準・エッチング/アッシング室を追加可能 |
1機種だけが掲載している項目(10件)
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(水平対向設計) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 露光方式 | — | マスクアライナー(インプリント対応) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 接合方式 | — | — | 陽極・ガラスフリット・はんだ・共晶・TLP・直接接合 | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 最大荷重・温度 | — | — | 10/20/60 kN、最高 550°C | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 実績 | — | — | — | — | DRIE プロセスモジュール 1,500 以上 | — | — | — | — | — | — | — |
| 処理 | — | — | — | — | — | 1 バッチ最大 13 枚・最大 6 モジュール | — | — | — | — | — | — |
| 連携 | — | — | — | — | — | — | — | — | EVA100・ハンドラとのセンサテストセル | — | — | — |
| 温度制御 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 8 個一括(低温用/高温用の温調プレート) | — | — |
| 圧力 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2Port 圧力コントローラ・圧力印加ノズル | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •MEMS のトレンチ・キャビティ
- •パワーデバイスのトレンチ
- •TSV
掲載カテゴリ
DSiEは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Lam Research
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
MEMSのほかの製品
EVG®510(ウェーハ接合装置)(EV Group)MA8 Gen5(マスクアライナー)(Suss MicroTec)EVG®6200 NT(マスクアライナー)(EV Group)ASE-Pegasus(シリコン深掘りエッチング)(SPPテクノロジーズ)SPTS Omega® Rapier™(KLA)Primaxx® Monarch 300(KLA)Xactix® X4(KLA)MVD300®(KLA)HA7200(温度・圧力ユニット)(アドバンテスト)HA7300(Stimulus Test Cell)(アドバンテスト)NLD-570(ドライエッチング装置)(ULVAC(アルバック))NLD-5700(ドライエッチング装置)(ULVAC(アルバック))
Lam Researchのほかの製品
Kiyo®(コンダクタエッチング)(ドライエッチング装置)Flex®(誘電体エッチング)(酸化膜エッチャー)Versys® Metal(金属エッチャー)Sense.i®(材料別エッチャー)Selective Etch(Argos®/Prevos®/Selis®)(ドライ洗浄装置)Striker®(枚葉ALD)(ALD装置)VECTOR®(PECVD)(CVD装置)SABRE® 3D(めっき装置(電解銅めっき))Syndion®(深堀りシリコンエッチング)(CMOSイメージセンサー製造装置)SABRE®(銅 ECD)(めっき装置(電解銅めっき))Coronus®(ベベルエッチング・成膜)(ドライエッチング装置)EOS®(ウェット洗浄)(シングルウェハ洗浄装置)DV-Prime®/Da Vinci®(シングルウェハ洗浄装置)SP Series(SP203L/SP223/SP323)(ウェットエッチング装置)Akara®(ドライエッチング装置)Triton(枚葉めっき・ウェット処理)(ウェハレベルパッケージング)Kallisto(パネル ECD)(ウェハレベルパッケージング)Phoenix(パネル処理)(ウェハレベルパッケージング)ALTUS®(W/Mo の CVD・ALD)(CVD装置)SPEED®(HDP-CVD)(CVD装置)GAMMA®(ストリップ)(アッシング装置(レジスト灰化))SOLA®(UV 熱処理)(アニール炉)Vantex®(誘電体エッチング)(酸化膜エッチャー)Metior®(質量計測)(膜厚計測装置)Prestis™(AlScN PVD)(PVD装置)SEMulator3D®(品質・歩留まり管理システム(YMS))Fabtex™ Yield Optimizer(品質・歩留まり管理システム(YMS))
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07