Lam Research/MEMS

DSiE™(深堀りシリコンエッチング)

ボッシュ法と定常法の両方に対応する深堀りシリコンエッチング装置。MEMS のトレンチ・キャビティや TSV に使う。

DSiEとは

DSiE は、Lam Research の深堀りシリコンエッチング装置のファミリーです。エッチングと保護膜を交互に行うボッシュ法と、定常的にエッチングする方法の両方を使え、高いエッチング速度と生産性を持ちます。

ガス流量比やトランス結合の容量調整で深さの均一性を調整でき、対称性の改善と傾きの最小化のための高度な制御も持ちます。高速のガス切り替えで CD も調整できます。

MEMS のトレンチやキャビティの深堀り、パワーデバイスのシリコントレンチ、ウェーハレベルパッケージの TSV に使われます。DSiE III、DSiE F Series、DSiE G Series があります。

主な特長

  • •ボッシュ法・定常法の両対応
  • •深さ均一性の調整
  • •高速ガス切り替えで CD 調整

主な仕様

方式深堀りシリコンエッチング(ボッシュ法・定常法)
ラインアップDSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series
主要用途MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目東京エレクトロン(TEL)Tactras™Suss MicroTecMA8 Gen5(マスクアライナー)EV GroupEVG®510(ウェーハ接合装置)Lam ResearchDSiE™(深堀りシリコンエッチング)KLASPTS Omega® Rapier™KLAPrimaxx® Monarch 300KLAXactix® X4KLAMVD300®アドバンテストHA7200(温度・圧力ユニット)アドバンテストHA7300(Stimulus Test Cell)ULVAC(アルバック)NLD-570(ドライエッチング装置)ULVAC(アルバック)NLD-5700(ドライエッチング装置)
方式反応性イオンエッチング(RIE)——深堀りシリコンエッチング(ボッシュ法・定常法)DRIE(ボッシュ法・デュアルプラズマ源)気相 HF(VHF)エッチングXeF₂ 気相エッチング(パルス・連続)分子気相成膜(MVD)ダイレクト温度印加・小型チャンバ・専用圧力コントローラ—磁気中性線プラズマ(NLD)・低圧・低電子温度・高密度磁気中性線プラズマ(NLD)
主要用途高アスペクト比エッチングMEMS・LED・マイクロ光学・光センサーMEMS のキャップ接合・気密封止MEMS・パワーデバイスのトレンチ・WLP の TSV——MEMS デバイスのリリースMEMS の固着防止膜・腐食防止膜——光デバイス・マイクロレンズ・フォトニック結晶・μ-TAS—
対応ウェハ径300 mm最大 200 mm小片 ~ 200 mm—最大 300 mm200/300 mm——————
対象————————車載用などの圧力センサディーゼル排気系の差圧センサなど石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板石英・ガラス・水晶・LN・LT 基板
特徴—SUSS レベリングシステム・クラスターへの組み込み可————特許のデュアル膨張室—————
構成———————MVD300・MVD300E(EFEM 付き全自動)———カセット室標準・エッチング/アッシング室を追加可能
1機種だけが掲載している項目(10件)
チャンバー構成最大 6 チャンバー(水平対向設計)———————————
露光方式—マスクアライナー(インプリント対応)——————————
接合方式——陽極・ガラスフリット・はんだ・共晶・TLP・直接接合—————————
最大荷重・温度——10/20/60 kN、最高 550°C—————————
ラインアップ———DSiE III・DSiE F Series・DSiE G Series————————
実績————DRIE プロセスモジュール 1,500 以上———————
処理—————1 バッチ最大 13 枚・最大 6 モジュール——————
連携————————EVA100・ハンドラとのセンサテストセル———
温度制御—————————8 個一括(低温用/高温用の温調プレート)——
圧力—————————2Port 圧力コントローラ・圧力印加ノズル——

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •MEMS のトレンチ・キャビティ
  • •パワーデバイスのトレンチ
  • •TSV

掲載カテゴリ

DSiEは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Lam Research

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

Lam Research の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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