Element G2 是 Onto Innovation 用於高速磊晶層量測與晶圓・薄膜組成管理的設備，適用於晶圓廠商、先進邏輯、DRAM 與 3D NAND。
專為讓晶圓廠商能高速進行雜質分布圖繪製與磊晶厚度量測而設計。結合穿透與反射技術，並透過先進的紅外線建模，以獨特方法監控絕緣膜的組成與膜厚。
藉由提升靈敏度與最先進的演算法，廣泛用於 BPSG、FSG、SiN 中氫等絕緣膜的監控。可透過機器學習省去絕緣膜量測用的監控晶圓。具備 2mm 的圓形光點。
Element G2的特點與規格
Onto Innovation・膜成分分析設備（XRF/FTIR）
針對晶圓廠商與先進邏輯・記憶體的高速磊晶層量測與薄膜組成管理設備。
產品概要
主要規格
| 方式 | FTIR（穿透＋反射）＋紅外線建模 |
|---|---|
| 量測項目 | 雜質分布圖・磊晶厚度・BPSG／FSG／SiN 中 H 等的組成 |
| 光點 | 2mm 的圓形光點 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
高速雜質分布圖繪製
磊晶厚度與薄膜組成
省去監控晶圓
主要用途
- 晶圓製造的磊晶評估
- BPSG・FSG 等的組成監控
製造商
Onto Innovation（總部：美國）